高能电子成像技术及应用和高平均流强电子注入器研究

地  点：犀浦校区2217#

时   间：2019年5月20日 19：30

主   办：物理科学与技术学院

报告内容简介：

本报告主要包括两个部分的内容，一是高能电子成像技术及应用，二是高平均流强电子注入器的研究。

高能电子成像是射线成像诊断的一种方法，主要针对中尺度（空间尺度um-mm, 时间尺度ps-ns）样品的诊断。2013年由近物所提出将其应用于高能量密度物理及惯性约束聚变的实验诊断研究方面。报告内容将包括高能电子成像研究现状和进展及实验平台建设方面的内容。

高平均流强高平均功率电子束应用广泛，如自由电子激光(XFEL)，超快电子衍射(UED)，超快电子显微镜(UEM)，高能电子成像(HEER)，电子离子对撞机(EIC)，电子冷却(e-cooler)等装置。其中电子注入器是关键之一，决定了束流品质。以DESY PITZ的光阴极微波电子枪为例，介绍PITZ装置，束流品质优化等相关方面的研究。同时介绍近物所拟规划的热阴极电子枪及光阴极电子枪的预研计划。

报告人简介：

赵全堂，中科院近代物理研究所，高级工程师。2008年于郑州大学物理工程学院获得学士学位；2013年于中科院近代物理研究所获得博士学位； 2015-2018年在德国DESY(电子同步加速器中心)从事博士后研究，研究方向为光阴极微波电子注入器束流品质优化。2018年3月回国，在近物所工作。目前参与高能电子成像技术及应用方面的工作，负责成像实验及应用方面的研究；此外负责高平均流强电子源的预研。目前在 PRL, PRAB, NIMA, LPB, CPC等SCI期刊上已发表论文17篇。